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GA1210Y682KBLAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:25:33 查看 阅读:12

GA1210Y682KBLAT31G 是一款高性能的射频 (RF) 功率放大器芯片,主要应用于无线通信领域。该芯片采用了先进的半导体工艺制造,能够在高频段提供高效率和高增益的信号放大功能。其设计优化了线性度和输出功率,适用于基站、无线接入点以及其他射频设备中。此外,GA1210Y682KBLAT31G 还具有低热阻特性和良好的散热性能,有助于提高系统的可靠性和稳定性。
  该芯片通过集成多种内部电路单元(如偏置电路、匹配网络等),简化了外部电路设计并减少了整体解决方案的尺寸。凭借其出色的电气性能和可靠性,GA1210Y682KBLAT31G 成为现代通信系统中的理想选择。

参数

工作频率:1.7GHz - 2.2GHz
  输出功率:40dBm
  增益:15dB
  效率:50%
  电源电压:28V
  静态电流:500mA
  封装形式:LGA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y682KBLAT31G 的主要特性包括:
  1. 高输出功率和效率,支持高频段应用。
  2. 内部集成了匹配网络和偏置电路,减少了外围元件数量。
  3. 良好的线性度表现,适合多载波或多模式系统。
  4. 提供高增益以补偿信号传输过程中的损耗。
  5. 支持宽范围的工作温度,适应各种环境条件。
  6. 封装采用低热阻设计,提高了长期工作的可靠性。
  7. 具备短路保护和过热保护功能,增强了产品的安全性。

应用

GA1210Y682KBLAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基站(如 4G LTE 和未来的 5G 系统)。
  2. 小型蜂窝基站和分布式天线系统 (DAS)。
  3. 固定无线接入 (FWA) 和微波回传设备。
  4. 工业级射频模块和测试测量仪器。
  5. 卫星通信地面站和其他需要高功率射频放大的场景。

替代型号

GA1210Y682KBLAT32G, GA1210Y682KBLAT33G

GA1210Y682KBLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容6800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-