IRF7473TR 时间：2025/5/27 16:26:25 阅读：9

IRF7473TR 是一款 N 沣道 enhancement 模式功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。该器件适用于各种高效能开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载切换和电机驱动等。IRF7473TR 具有低导通电阻和快速开关速度，能够在高频应用中提供优异的性能。
　　该器件主要特点包括高击穿电压、低导通电阻以及出色的热性能，使其非常适合要求苛刻的电力电子设计。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ
　　总功耗：92W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　栅极电荷：40nC

特性

IRF7473TR 的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。此外，它具有快速开关能力，能够支持高频操作，从而减小外部元件尺寸和系统成本。
　　其高击穿电压确保了在宽输入电压范围内的稳定性，而低栅极电荷则降低了开关损耗。同时，该器件具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，适用于严苛的工作条件。
　　另外，其紧凑的 DPAK 封装提供了良好的散热能力和电气性能，便于 PCB 布局设计。

应用

IRF7473TR 广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及通信电源等领域。具体应用包括但不限于以下方面：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率级开关
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET
　　3. 电池管理系统的负载开关
　　4. 电机驱动电路中的功率开关
　　5. 各种负载切换和保护电路
　　这些应用都得益于 IRF7473TR 的低 Rds(on) 和快速开关性能，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。