DG100N03S 时间：2025/8/24 14:47:55 阅读：5

DG100N03S是一款由Diodes公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理应用，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路等场景。DG100N03S采用先进的沟槽式功率MOSFET工艺，提供优异的热性能和电气性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值3.3mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerPAK? SO-8双封装（5x6mm）

特性

DG100N03S MOSFET具有多项突出特性，首先是其极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。在VGS=10V时，Rds(on)的最大值仅为3.3mΩ，使其适用于高电流应用场景。该器件具备出色的热稳定性，采用PowerPAK? SO-8双封装技术，不仅提高了散热能力，还增强了封装的机械强度。
　　此外，DG100N03S具备较高的电流承载能力，在连续工作条件下可支持高达100A的漏极电流，适用于高功率密度的设计。其栅极驱动电压范围较宽，兼容标准逻辑电平驱动电路，便于与各种控制IC和驱动器配合使用。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能，提高了器件在严苛环境下的可靠性。
　　在制造工艺方面，DG100N03S采用了先进的沟槽式结构，优化了导通损耗和开关损耗的平衡，从而在高频开关应用中表现出色。其封装形式符合RoHS标准，适用于自动化装配流程，便于在现代电子产品中广泛使用。

应用

DG100N03S广泛应用于多种功率电子系统中，例如同步整流型DC-DC转换器、多相电源模块、负载开关电路、电池管理系统（BMS）以及电机控制和驱动电路等。在服务器电源、笔记本电脑电源适配器、电动工具、电动车辆（如滑板车、电动自行车）控制系统中，DG100N03S可作为主功率开关或同步整流元件使用。
　　此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、LED照明驱动器以及高性能电源管理模块中。其高电流能力和低导通电阻使其在高效率、高功率密度的电源设计中具有显著优势。由于其具备良好的热管理和抗冲击能力，因此在汽车电子和工业控制等对可靠性要求较高的应用中也广受欢迎。