时间：2025/7/7 15:04:46
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SH18B222K101CT 是一款高性能的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源管理和电机驱动场景。
SH18B222K101CT 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，具体取决于制造商的标准。其主要特点是能够在高压环境下保持高效运行，并提供出色的热性能以确保长期可靠性。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：30nC
总功耗：175W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
SH18B222K101CT 具备以下关键特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景，例如工业设备、汽车电子和太阳能逆变器。
2. 极低的导通电阻，减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，非常适合高频开关电源。
4. 出色的热稳定性，能够承受较高结温，保证在恶劣环境下的可靠运行。
5. 内置反向恢复二极管，进一步优化开关性能并减少噪声。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SH18B222K101CT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统的电源管理部分，例如电动窗、座椅调节等。
6. LED 照明驱动电路。
STP12NM65,
IRFZ44N,
FDP18N65C3
