时间：2025/6/22 7:24:55
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SH15N221J500CT是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于各种开关和功率转换电路中。该器件采用了先进的制造工艺，能够提供低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等优异特性。由于其卓越的性能，SH15N221J500CT在电源管理、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率处理的应用中表现出色。
该型号的MOSFET适合高频率工作环境，同时具备良好的热稳定性和可靠性，使其成为设计工程师在功率电子应用中的理想选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源极电压(Vds)：500V
最大栅源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：22A
脉冲漏极电流(Idm)：74A
导通电阻(Rds(on))：0.18Ω (在Vgs=10V时)
输入电容(Ciss)：2500pF
开关时间：ton=36ns, toff=93ns
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压(500V)，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻(0.18Ω)，有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关能力，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下依然保持可靠性能。
5. 采用TO-247封装，具有较高的散热能力和机械强度。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
这些特点使得SH15N221J500CT非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换及控制场合。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器中的功率级元件。
3. 电池保护和负载切换电路。
4. DC/DC转换器和AC/DC转换器中的同步整流。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电信和消费类电子产品中的高效功率管理。
该器件凭借其高电压承受能力和大电流处理能力，成为许多高压、大功率应用的理想解决方案。
IRFP250N, STP22N50E, FDP18N50
