时间：2025/6/18 22:24:50
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GA1812A562KXBAT31G 是一款高精度、低功耗的陶瓷电容器，专为高频滤波和信号耦合应用设计。该型号属于 X7R 温度特性系列，具有稳定的电气性能和优异的温度稳定性。其结构紧凑，适合在小型化和高密度安装的设计中使用。
这种电容器采用先进的陶瓷介质材料制造，具备良好的频率特性和耐压能力。其表面贴装设计使其易于自动化生产，并且能够承受回流焊过程中的高温。
容量：0.56μF
额定电压：50V
尺寸：1812 (公制)
温度范围：-55°C 至 +125°C
损耗因子：≤1%（1kHz，20°C）
绝缘电阻：≥1000MΩ
封装类型：SMD
介质材料：X7R
GA1812A562KXBAT31G 的主要特点是其高稳定性和低ESR（等效串联电阻）。它能够在宽泛的温度范围内保持容量变化小于±15%，这使得它非常适合用于对温度敏感的应用场景。
此外，这款电容器还具有出色的抗潮湿性能，通过了行业标准的潮湿敏感度测试（MSL 1 级）。它的高频性能也相当优越，在高频条件下依然能提供高效的滤波效果。
由于采用了无铅端电极材料，该型号符合 RoHS 标准，适用于环保要求严格的电子产品生产。
这款电容器广泛应用于消费类电子设备、通信设备以及工业控制领域。具体电源滤波
- RF 耦合与去耦
- 模拟信号处理电路
- 音频放大器中的旁路电容
- 微控制器及数字电路的电源去耦
- EMC 改善和噪声抑制
其紧凑的尺寸和卓越的电气性能使其成为便携式设备的理想选择，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
GA1812A562K5XBAT31G
CC1812Y5V1H564K
KEMET C1812C562K5RACTU
