时间:2025/10/30 5:01:33
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ASDM30P30CTD-R是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生产的双共阴极肖特基势垒二极管,专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的沟槽式肖特基技术制造,具有低正向电压降和快速开关特性,有助于提升系统整体能效并减少热损耗。ASDM30P30CTD-R的额定反向电压为30V,最大平均整流电流可达30A,适用于大电流、低压输出的同步整流或续流二极管场景。其封装形式为Power-DFN2732(双扁平无引脚),具备优良的散热性能和紧凑的占位面积,适合对空间要求严格的高密度电源设计。该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证,可在严苛的工业与汽车环境中稳定运行。ASDM30P30CTD-R广泛应用于服务器电源、笔记本电脑适配器、DC-DC变换器以及电池管理系统等高效能电子设备中,提供可靠的功率处理能力。
类型:肖特基二极管
配置:双共阴极
最大反向重复峰值电压(VRRM):30V
最大直流阻断电压(VR):30V
最大平均整流电流(IF(AV)):30A
最大正向压降(VF):850mV @ 15A, 25°C
最大反向漏电流(IR):400μA @ 30V, 125°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
封装/包装:Power-DFN2732
安装类型:表面贴装
峰值浪涌电流(IFSM):120A @ 8.3ms
热阻(RθJC):0.6°C/W 典型值
引脚数:3
湿气敏感等级(MSL):1(260°C,无限时间)
符合标准:RoHS,AEC-Q101
ASDM30P30CTD-R采用先进的沟槽式肖特基势垒结构,在保持高电流承载能力的同时显著降低了正向导通压降。在15A、25°C条件下,其典型正向压降仅为850mV,相比传统肖特基二极管可有效降低导通损耗,提高电源转换效率。该器件的低VF特性在大电流应用中尤为重要,能够减少发热,从而降低对散热设计的要求,提升系统可靠性。此外,由于其无反向恢复电荷(Qrr ≈ 0)的天然优势,ASDM30P30CTD-R在高频开关电路中不会产生额外的开关损耗,避免了传统PN结二极管常见的反向恢复尖峰电流问题,有助于改善EMI性能。
该器件具有优异的热性能设计,采用Power-DFN2732封装,底部带有大面积裸露焊盘,可直接连接PCB上的热沉层,实现高效的热量传导。其典型热阻RθJC仅为0.6°C/W,意味着在高负载下仍能保持较低的结温升幅,确保长期运行稳定性。封装尺寸紧凑(约2.7mm x 3.2mm),非常适合高密度板级布局,尤其适用于空间受限的便携式设备或模块化电源设计。
ASDM30P30CTD-R通过了AEC-Q101车规级认证,表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感性等方面均满足汽车电子严苛的可靠性要求。这使其不仅可用于消费类和工业类电源,还可应用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电池均衡电路等汽车电子系统。此外,器件内部采用铜夹片连接(Copper Clip Bonding)技术,取代传统的铝线键合,大幅提升了载流能力和机械强度,同时减少了寄生电阻和热阻,进一步优化了电热性能。
ASDM30P30CTD-R广泛应用于需要高效、大电流整流的电源拓扑中,典型使用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器、隔离式电源副边整流、OR-ing二极管、反向极性保护电路以及电池充放电管理模块。在服务器和通信电源系统中,该器件常用于多相VRM(电压调节模块)的续流路径,利用其低正向压降特性降低功耗,提高整体能效。在笔记本电脑、平板电脑及高端移动设备的适配器中,ASDM30P30CTD-R作为次级侧整流元件,有助于实现高功率密度和低待机损耗的设计目标。
在工业自动化和嵌入式系统中,该二极管可用于PLC电源、电机驱动器中的续流保护以及UPS不间断电源的输出整流环节。得益于其AEC-Q101认证和宽工作温度范围,ASDM30P30CTD-R也适用于新能源汽车领域的车载电子设备,如车载信息娱乐系统、ADAS辅助驾驶模块和电池管理系统(BMS)中的电流检测与保护电路。此外,在光伏逆变器和储能系统的辅助电源部分,该器件能够提供稳定的整流功能,适应频繁启停和宽温变化的工作环境。其表面贴装封装形式便于自动化生产,支持回流焊工艺,适合大规模量产应用。
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