类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：380V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：6A
　　导通电阻 Rds(on)：≤2.2Ω（@Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：25W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-92

SK38B-TR 采用先进的制造工艺，具备出色的导通特性和较低的开关损耗。其低 Rds(on) 特性可以显著减少在导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的击穿电压能力，能够承受较大的电压应力，适用于中高功率的开关应用。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 至 20V 之间正常工作，确保了良好的栅极控制性能。
　　其封装形式为 TO-92，适合印刷电路板（PCB）上的通孔安装，具有良好的热稳定性和机械强度。同时，该封装形式也有助于散热，提高器件在高电流下的可靠性。
　　SK38B-TR 还具备良好的抗静电能力（ESD），能够在一定程度上抵御静电放电造成的损坏，增强了器件在实际应用中的稳定性。

SK38B-TR 主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理电路：如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器等，用于实现高效的能量转换。
　　2. 电机控制：用于小型电机的驱动和控制，实现电机的启停和调速功能。
　　3. 开关电源：作为主开关元件，控制电源的导通与关断，实现高效的功率调节。
　　4. 照明系统：用于 LED 驱动电路，提供稳定的电流控制和高效率的功率输出。
　　5. 家用电器：如电风扇、洗衣机、电饭煲等设备中的电机驱动和电源控制电路。
　　6. 工业自动化：用于工业控制系统的功率开关，实现对各种负载的精确控制。

STP3NK80Z-TR, IRF740PBF, FQP12N80C