类型：半桥栅极驱动器
　　通道类型：高低侧驱动
　　输出类型：图腾柱
　　供电电压（VDD）：10V ~ 20V
　　逻辑输入电压兼容：3.3V/5V CMOS/TTL
　　高侧浮动电压（VS）：-5V 至 +600V
　　最大开关频率：典型值100kHz，最高可达500kHz
　　输出峰值电流（拉电流/灌电流）：210mA / 420mA
　　传播延迟时间：典型值220ns（开通），260ns（关断）
　　上升时间（1000pF负载）：典型值45ns
　　下降时间（1000pF负载）：典型值25ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：DIP-8, SOIC-8
　　自举二极管集成：无（需外接快恢复或肖特基二极管）

IRS2106的核心特性之一是其高侧浮动通道设计，支持高达600V的电压浮动能力，使其适用于通用AC-DC和DC-DC功率转换系统。该芯片通过自举电容实现高侧栅极电压的建立，仅需在VS引脚与VB引脚之间外接一个电容和一个快速恢复或肖特基二极管即可完成电路搭建，极大简化了电源设计。其内置的电平位移电路将来自低压侧的PWM信号准确传递至高侧驱动输出，确保上下桥臂开关时序精确同步。
　　另一个重要特性是输入逻辑互锁功能，IRS2106的两个输入引脚HIN和LIN具有内部互锁逻辑，防止高侧与低侧输出同时导通，从而避免桥臂直通（shoot-through）现象，提升系统安全性。即使输入信号出现短暂重叠，芯片也能自动处理，确保只有一路输出有效，这对于电机驱动和逆变器应用至关重要。
　　该器件具备完善的欠压锁定（UVLO）保护机制，分别对高端和低端电源进行监测。当VCC或VB电压低于阈值时，输出将被强制拉低，防止因驱动电压不足导致MOSFET工作在线性区而引发过热损坏。UVLO具有迟滞特性，增强了抗干扰能力。此外，IRS2106具有匹配的开通与关断传播延迟，确保PWM控制精度，减少输出失真。
　　IRS2106采用先进的BCD工艺制造，具备良好的抗噪声性能和EMI抑制能力。其输出级为图腾柱结构，提供较强的拉电流和灌电流能力，可快速充放电MOSFET栅极电容，降低开关损耗，提高系统效率。芯片还具有较高的共模瞬态抗扰度（CMTI），通常大于15V/ns，可在高dV/dt环境下稳定工作，避免误触发。
　　由于不集成自举二极管，用户可根据实际需求选择性能更优的外部二极管，例如低反向漏电流的快恢复二极管或肖特基二极管，进一步优化系统效率与可靠性。这种设计虽增加少量外围元件，但提升了设计灵活性，特别适用于高温或高频应用场景。

IRS2106广泛应用于需要高效、可靠半桥驱动的各种电力电子系统中。常见应用包括无刷直流电机（BLDC）驱动器，其中用于控制电机三相桥式逆变器的上下桥臂MOSFET，实现精确的电子换相。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于有源功率因数校正（PFC）电路或LLC谐振转换器的半桥拓扑结构，驱动主开关管以提高能效并满足能效标准。
　　在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，IRS2106用于DC-AC变换环节的H桥或半桥驱动单元，将直流电高效转换为交流电。其高电压耐受能力和强驱动性能确保系统在长时间运行下的稳定性。此外，在感应加热、电子镇流器和小型逆变电源中，该芯片也表现出色，能够承受高频率开关带来的电气应力。
　　工业自动化设备中的伺服驱动器和变频器也常采用IRS2106作为功率级的驱动核心，配合微控制器生成的PWM信号，实现对电机速度和转矩的精准控制。其宽温工作范围和高抗干扰能力使其适应恶劣工业环境。
　　在消费类电源产品中，如笔记本电脑适配器、LED驱动电源等，IRS2106因其高集成度和可靠性被广泛采用。工程师可通过合理设计自举电路和布局布线，充分发挥其性能优势，构建高效紧凑的电源解决方案。其标准化封装也便于维修与替换，降低生产维护成本。

IR2106S
　　IRS2106STR
　　MPQ2106G-J