CC1812JKNPOCBN152 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率放大器芯片,专为无线通信系统中的射频功率放大设计。该芯片采用先进的 GaN HEMT 工艺制造,能够在高频段提供卓越的增益、线性和输出功率性能。其紧凑的设计和出色的电气特性使其适用于基站、雷达以及其他高性能射频应用。
这款芯片通过优化栅极偏置和负载线匹配网络,能够显著提升系统的整体效率,并降低散热需求,从而简化热管理设计。此外,CC1812JKNPOCBN152 支持宽泛的工作电压范围,增强了其在多种应用场景中的灵活性。
工作频率:1.8 GHz至2.2 GHz
输出功率:43 dBm
增益:15 dB
电源电压:28 V
效率:65%
封装形式:陶瓷气密封装
工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
1. 高输出功率与效率:CC1812JKNPOCBN152 在 1.8GHz 至 2.2GHz 的频段内可提供高达 43dBm 的输出功率,同时保持超过 65% 的高效率。
2. 宽带支持:该芯片支持较宽的工作频率范围,适用于多频段通信设备。
3. 良好的线性度:内置预失真功能以改善信号质量,在高功率水平下仍能维持低互调失真性能。
4. 稳定性强:即使在极端环境条件下(如高温或低温),也能保证稳定的输出表现。
5. 小型化设计:采用陶瓷气密封装技术,既减小了尺寸又提高了可靠性。
CC1812JKNPOCBN152 广泛应用于无线基础设施领域,包括但不限于:
1. 4G/5G 基站功率放大器模块。
2. 微波点对点链路。
3. 公共安全通信系统。
4. 军用雷达和卫星通信系统。
5. 测试测量设备中的高性能射频源。
CC1812JKNPACBN152, CC1812JKNPXCBN152