时间：2025/8/24 11:54:40
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SGW6N60UFD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高效率的功率转换和开关应用。这款 MOSFET 的最大漏源电压（VDS）为 600V，最大连续漏极电流（ID）为 6A（在特定温度条件下），适用于需要高电压和高开关频率的应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大连续漏极电流（ID）：6A（在25°C温度下）
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220FP
SGW6N60UFD 具备低导通电阻（RDS(on)），这使得它在导通状态下损耗较低，从而提高了系统的整体效率。其先进的沟槽栅技术优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，增强了设备的可靠性。
该 MOSFET 还具备强大的雪崩能量承受能力，可以在过压或瞬态条件下保护器件不受损坏。这种特性使其适用于需要稳定和可靠功率控制的环境，例如电源供应器、电动机控制和照明系统。SGW6N60UFD 的封装设计也便于散热管理，适合焊接在标准的 PCB 上，简化了设计和制造过程。
SGW6N60UFD 常用于各种功率电子设备中，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电动机驱动器、照明控制系统以及工业自动化设备。其高耐压和良好的导通特性使其在需要高效率和高性能的场合表现出色。此外，它还适用于家用电器中的功率控制模块，例如电热水器、电磁炉等设备中的电源管理电路。
SGW8N60UFD, SGW10N60UFD, STW6N60DM2
