时间：2025/5/23 21:52:32
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AON6796 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺制造，具有低导通电阻和快速开关性能，适用于多种高效能电源管理应用。AON6796 的封装形式为 LFPAK8 封装（Power8），具有良好的散热性能和紧凑设计，适合高密度电路板布局。
AON6796 在消费电子、通信设备以及工业控制领域中被广泛使用，其优异的电气特性和可靠性使其成为众多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：19nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：LFPAK8
AON6796 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 优化的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss 参数，可简化驱动电路设计。
4. 工作温度范围宽广，适应各种极端环境条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 封装小型化，便于在高密度 PCB 板上集成。
7. 内置 ESD 保护功能，提升抗静电能力。
AON6796 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率级元件。
5. 计算机及外设中的多相供电解决方案。
6. LED 驱动器中的功率开关。
7. 各类便携式电子设备的电源管理模块。
AON6798, AON6797
