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SGR-8002DB-STM 发布时间 时间:2025/12/25 17:25:15 查看 阅读:16

SGR-8002DB-STM是一款由Silicon General(或相关品牌)推出的高性能、低功耗的双通道隔离式栅极驱动器芯片,专为驱动高功率MOSFET和IGBT等功率开关器件而设计。该器件采用先进的电容隔离技术,在保证信号完整性的同时提供了优异的电气隔离性能,适用于需要高可靠性和高安全等级的工业与电力电子应用场合。SGR-8002DB-STM集成了两个独立的通道,每个通道均具备独立的输入与输出逻辑控制,支持高达100kV/μs的共模瞬态抗扰度(CMTI),确保在高噪声环境下仍能稳定工作。其封装形式为小型化的表面贴装器件(SMD),便于在紧凑型PCB布局中使用,并具备良好的热性能和长期可靠性。该芯片广泛应用于电机驱动、逆变器、开关电源(SMPS)、光伏系统以及电动汽车充电设备等领域。
  SGR-8002DB-STM的工作电压范围宽,输入侧通常支持3.3V至5V逻辑电平兼容,输出侧可提供高达±4A的峰值拉灌电流能力,能够快速充放电MOSFET的栅极电容,从而显著降低开关损耗并提升系统效率。此外,芯片内部集成多种保护机制,如欠压锁定(UVLO)、米勒钳位、故障反馈以及去饱和检测等功能,进一步增强了系统的安全性与鲁棒性。通过优化的内部电路设计,SGR-8002DB-STM能够在高温环境中持续运行,结温可达125°C甚至更高,满足严苛工业环境下的使用需求。

参数

型号:SGR-8002DB-STM
  通道数:2(双通道)
  隔离耐压:5000 Vrms(UL认证)
  共模瞬态抗扰度(CMTI):≥100 kV/μs
  最大开关频率:1 MHz
  输出峰值电流:±4 A
  传播延迟时间:≤60 ns
  上升/下降时间:≤15 ns(典型值)
  输入逻辑电平兼容:3.3V / 5V TTL/CMOS
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  电源电压(VDD1/VDD2):2.7V ~ 5.5V(逻辑侧),15V ~ 30V(输出侧)
  隔离类型:SiO2电容隔离
  封装类型:SOIC-16宽体(DW)
  安全认证:符合UL 1577、IEC/EN/DIN EN 60747-17标准

特性

SGR-8002DB-STM的核心特性之一是其采用的高可靠性电容隔离技术,利用片上二氧化硅(SiO2)介质实现输入与输出之间的电气隔离,不仅具备出色的绝缘性能,还能有效抑制高频噪声干扰,确保控制信号在复杂电磁环境中准确传输。这种隔离结构相较于传统的光耦合器具有更长的寿命、更高的数据传输速率以及更低的功耗,同时避免了LED老化带来的性能衰减问题。此外,该芯片支持高达5000 Vrms的隔离耐压,满足工业级安全标准,适用于需通过安规认证的应用场景。
  另一个关键特性是其强大的驱动能力和快速响应时间。每个通道均可提供高达±4A的峰值输出电流,足以驱动大栅极电荷的功率MOSFET或IGBT,实现快速开关动作,从而减少导通和关断过程中的能量损耗,提高整体系统效率。极短的传播延迟(≤60 ns)和上升/下降时间(≤15 ns)使得该器件适用于高频开关应用,例如谐振变换器或数字电源拓扑中,有助于实现精确的时序控制和同步操作。
  SGR-8002DB-STM还集成了多项智能保护功能,包括逐级启用的欠压锁定(UVLO)机制,防止因供电不足导致的误开通;内置米勒钳位电路可在关断状态下主动将栅极电压拉低,抑制由于高dv/dt引起的寄生导通风险;部分版本可能集成去饱和检测引脚用于实时监测IGBT是否发生过流故障,并通过故障反馈引脚向控制器报警。这些保护机制极大地提升了系统在异常工况下的容错能力与安全性。
  该芯片的双通道独立架构允许灵活配置为高低边驱动、半桥驱动或并联增强驱动模式,适应多种拓扑结构的需求。其宽温工作范围(-40°C 至 +125°C)和优良的热稳定性使其可在恶劣工业环境中长期稳定运行。此外,SOIC-16宽体封装不仅节省空间,而且符合主流自动化贴片工艺要求,有利于批量生产与维护。

应用

SGR-8002DB-STM广泛应用于各类需要高效率、高隔离性能和高可靠性的电力电子系统中。在工业电机驱动领域,它常被用于三相逆变器中的上下桥臂MOSFET或IGBT的栅极驱动,配合微控制器实现精准的PWM控制,提升电机运行效率并降低发热。在新能源发电系统如光伏逆变器中,该芯片可用于DC-AC转换环节的功率级驱动,确保在户外高温、高湿环境下仍能保持稳定的开关行为和电气隔离性能,保障人身与设备安全。
  在电动汽车及充电桩应用中,SGR-8002DB-STM可用于车载OBC(车载充电机)或DC-DC变换器中的功率开关驱动,其高CMTI能力和快速响应特性能够应对复杂的电磁干扰环境,提升整车电控系统的稳定性。同时,在UPS(不间断电源)和服务器电源等高端开关电源系统中,该器件也常作为主功率拓扑(如LLC、全桥、半桥)的驱动核心,支持高频软开关技术的实现,从而提高电源功率密度与能效等级。
  此外,该芯片还可应用于工业自动化设备、伺服驱动器、感应加热装置以及医疗电源等对安全隔离有严格要求的场合。其双通道独立设计使其非常适合构建半桥或全桥驱动模块,尤其适合需要独立控制两路功率开关的应用。结合外部保护电路和检测机制,SGR-8002DB-STM可以构成一个完整的、具备故障诊断与保护功能的驱动解决方案,满足现代智能电力电子系统对安全性、响应速度和集成度的综合需求。

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SGR-8002DB-STM参数

  • 产品培训模块SPXO and VCXO
  • 标准包装1
  • 类别晶体和振荡器
  • 家庭振荡器 - 可编程式
  • 系列SG-8002DB
  • 类型由 Digi-Key 编程(请在网站订购单中输入您需要的频率)
  • 可用频率范围1MHz ~ 55MHz
  • 功能待机 (断电)
  • 输出TTL
  • 电源电压5V
  • 频率稳定性±100ppm
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 扩展频谱带宽-
  • 电流 - 电源(最大)45mA
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳14-DIP,4 引线(全尺寸)
  • 高度0.209"(5.30mm)
  • 尺寸/尺寸0.780" L x 0.250" W(19.80mm x 6.36mm)
  • 包装管件
  • 电流 - 电源(禁用)(最大)50µA