IRSF3012LTR 时间：2025/12/26 20:22:31 阅读：16

IRSF3012LTR是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高性能的电源管理应用而设计。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关特性，适用于多种开关电源拓扑结构。IRSF3012LTR封装在小型的LFPAK56（PowerSO-8L）表面贴装封装中，具有出色的热性能和电流处理能力，适合在空间受限但对散热要求较高的应用场景中使用。该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电池管理系统以及负载开关等场合。
　　由于其优化的栅极电荷和低反向恢复电荷，IRSF3012LTR在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，从而提升系统整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，能够在严苛的工作环境中稳定运行。其额定电压为30V，适合用于48V以下的工业和消费类电源系统中，是替代传统TO-220或DPAK封装MOSFET的理想选择，尤其适用于追求小型化和高功率密度的设计方案。

参数

型号：IRSF3012LTR
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：110A
　　脉冲漏极电流（IDM）：390A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：1.2mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：1.5mΩ
　　栅极电荷（Qg）typ：43nC
　　输入电容（Ciss）typ：3480pF
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：30ns
　　反向恢复电荷（Qrr）typ：37nC
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装：LFPAK56 (PowerSO-8)
　　安装类型：表面贴装

特性

IRSF3012LTR采用了英飞凌先进的沟槽栅极与场截止技术，这种组合显著降低了导通电阻并优化了开关性能。其超低的RDS(on)值在同级别器件中处于领先水平，尤其是在VGS=10V时仅为1.2mΩ，能够有效减少传导损耗，提高电源系统的整体效率。这一特性在大电流应用如大功率同步降压转换器中尤为重要，可降低温升并减少对外部散热措施的依赖。
　　该器件的栅极电荷（Qg）典型值为43nC，属于同类产品中的低水平，有助于降低驱动电路的功耗，同时加快开关速度，支持更高频率的操作。这对于实现小型化电感和电容的设计非常有利，从而减小整个电源模块的体积。此外，其输入电容为3480pF，在高频开关过程中表现出良好的动态响应能力。
　　IRSF3012LTR还具备较低的反向恢复电荷（Qrr），典型值为37nC，这大大减少了体二极管在硬开关条件下的能量损耗，避免了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题。这一特性使其特别适用于桥式电路和同步整流拓扑，提高了系统的可靠性和EMI性能。
　　该MOSFET采用LFPAK56封装，这是一种无引线、双面散热的PowerSO-8兼容封装，相较于传统的DPAK或D2PAK封装，具有更低的热阻和更高的功率密度。其底部大面积铜片可以直接焊接至PCB，实现高效的热传导，提升长期运行的稳定性。此外，该封装还增强了机械强度，适合自动化生产和回流焊工艺。
　　器件支持宽泛的工作结温范围（-55°C 至 +175°C），可在极端温度环境下正常工作，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求高的领域。同时，其±20V的栅源电压耐受能力提供了更强的抗过压冲击能力，提升了系统鲁棒性。综合来看，IRSF3012LTR是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的先进功率MOSFET解决方案。