时间：2025/12/26 18:55:07
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IRFS7530-7P是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchStop技术制造。该器件专为高效率开关电源应用设计，在低导通电阻和栅极电荷之间实现了出色的平衡，适用于多种工业、消费类和通信领域的电源转换系统。IRFS7530-7P封装在PG-HSOF-5（即SuperSO-8）小型表面贴装封装中，具有优良的热性能和电气性能，适合自动化贴片生产流程。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达49A，能够在高频开关条件下保持较低的导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，增强了在恶劣工作环境下的可靠性与耐用性。广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等场合。
型号：IRFS7530-7P
制造商：Infineon Technologies
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
连续漏极电流(ID)@25°C：49A
脉冲漏极电流(IDM)：196A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))@VGS=10V：4.7mΩ
导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：6.4mθ
栅极电荷(Qg)@10V：30nC
输入电容(Ciss)：1250pF
开启延迟时间(td(on))：10ns
关断延迟时间(td(off))：22ns
上升时间(tr)：18ns
下降时间(tf)：12ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
封装/包装：PG-HSOF-5 (SuperSO-8)
IRFS7530-7P采用英飞凌先进的TrenchStop 5技术，显著降低了导通电阻RDS(on)与栅极电荷Qg之间的乘积（FOM，优值系数），从而在高频开关应用中实现更低的综合损耗。该器件在VGS=10V时RDS(on)低至4.7mΩ，在4.5V驱动条件下仍能维持6.4mΩ的低导通电阻，确保在宽范围输入电压下具备优异的导通性能，特别适用于低电压大电流输出的同步整流拓扑结构。其超低的栅极电荷（典型值30nC）有效减少了驱动电路的能量消耗，降低了开关过程中的动态损耗，提高了电源系统的整体效率。
该MOSFET具备优异的热性能，SuperSO-8封装不仅体积小巧，还通过底部散热焊盘实现高效的热量传导，可将芯片产生的热量快速传递至PCB，提升功率密度并延长器件寿命。器件符合RoHS标准，无铅且兼容无卤素生产工艺，满足现代绿色电子产品的环保要求。内置的体二极管具有快速恢复特性，反向恢复时间较短，有助于减少反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰，提升系统EMI表现。
IRFS7530-7P具有高抗雪崩能力，经过严格测试验证，可在非钳位感性负载切换过程中承受一定的雪崩能量而不损坏，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅氧层设计经过优化，能够承受高达±20V的栅源电压，增强了对意外过压或噪声干扰的耐受能力。工作结温范围宽达-55°C至+175°C，使其能够在极端温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电源管理等严苛应用场景。
IRFS7530-7P广泛用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电源管理系统中。典型应用包括各类同步降压型DC-DC转换器，特别是在服务器、网络通信设备和高端主板的VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，因其低RDS(on)和低Qg特性可显著提升转换效率并降低温升。该器件也常用于负载开关电路，用于控制电源路径通断，实现快速响应和低静态功耗。在电池供电设备如便携式医疗仪器、工业手持终端和电动工具中，它被用作功率开关以实现高效的能量利用。
此外，该MOSFET适用于电机驱动应用，例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，其快速开关能力和低导通损耗有助于提升驱动效率并减少发热。在多相并联电源架构中，多个IRFS7530-7P可并联使用以分担大电流，提高系统冗余性和散热均匀性。由于其表面贴装封装形式，非常适合高密度PCB布局和自动化回流焊工艺，广泛应用于通信基站电源模块、LED驱动电源、USB PD快充适配器以及工业电源单元中。其高性能指标也使其成为替代老一代Power MOSFET的理想选择，尤其在追求小型化和高效率的设计中表现出色。
IRLHS7530
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