时间：2025/8/2 8:40:52
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MSB92ASWT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N 沟道
最大漏极电流（Id）：9.2A
最大漏极-源极电压（Vds）：30V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：@ Vgs=10V 时 ≤ 28mΩ，@ Vgs=4.5V 时 ≤ 40mΩ
功耗（Pd）：44W
封装类型：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
MSB92ASWT1G 具备多项关键特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件支持高电流负载，额定漏极电流为 9.2A，适合中高功率应用。
此外，MSB92ASWT1G 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，这使得它能够兼容多种驱动电路设计，包括低压控制器。其 TO-252 封装形式具备良好的热性能，有助于在高负载条件下有效散热。
该 MOSFET 还具有较高的热稳定性与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。其封装形式也便于焊接和自动化装配，适合大规模生产使用。
最后，MSB92ASWT1G 在短路和过载条件下具有较强的耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流和温度，提升了整体系统的安全性和耐用性。
MSB92ASWT1G 主要用于各种功率电子系统中，包括但不限于以下应用场景：电源管理系统中的开关元件，DC-DC 升压/降压转换器中的主开关，电机驱动电路中的高速开关，LED 照明系统的调光控制，电池管理系统中的负载切换，以及各类工业和消费类电子设备的功率控制电路。此外，它也可用于汽车电子系统中的电动助力转向、车窗控制、空调系统等模块。
Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PBF, FDS9435B
