时间：2025/12/28 22:03:55
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TISP4350T3BJR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态干扰的影响。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术制造，具有快速响应时间和高可靠性。TISP4350T3BJR 特别适用于通信接口、工业控制系统、消费电子产品和汽车电子等对电路保护要求较高的场合。其封装形式为 SOT-23，便于表面贴装。
工作电压：350V（最大持续工作电压）
击穿电压：435V（最小）
钳位电压：650V @ 1A
最大峰值脉冲电流：10A（8/20μs波形）
反向漏电流：≤ 10μA @ 25°C
响应时间：< 1ns
封装类型：SOT-23
TISP4350T3BJR 具备多项优异的电气和物理特性，确保其在各种应用环境中提供可靠的电路保护。
首先，该TVS二极管具备高击穿电压稳定性，其最小击穿电压为435V，确保在正常工作电压下不会误触发，同时在过电压事件中能迅速导通，将电压限制在安全范围内。其钳位电压为650V，在1A的测试电流下，能够有效保护后级电路不受损害。
其次，TISP4350T3BJR 的响应时间小于1纳秒，使其能够快速响应ESD事件和瞬态电压冲击，从而最大限度地减少对电路的影响。其最大峰值脉冲电流可达10A（8/20μs波形），表明其具备较强的瞬态能量吸收能力，适用于对高能量脉冲敏感的系统。
此外，该器件在常温下的反向漏电流不超过10微安，表现出良好的低漏电特性，有助于降低功耗并减少对系统的影响。其SOT-23封装形式不仅体积小巧，便于集成到高密度PCB设计中，同时也支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
由于其双向保护特性，TISP4350T3BJR 可用于保护交流信号线路或差分线路，例如RS-485、CAN总线等工业通信接口。其双向结构使其能够在正负两个方向提供对称的保护，提升了适用范围和灵活性。
TISP4350T3BJR 主要应用于需要高可靠性电路保护的电子系统中。其典型应用场景包括工业自动化设备的通信接口保护，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业以太网模块等。在这些系统中，TISP4350T3BJR 能有效抑制由于雷击、电感负载切换或静电放电引起的瞬态电压，从而保护通信芯片和接口电路免受损坏。
此外，该器件广泛用于消费电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的USB接口、音频接口等信号线路的ESD保护。由于其低漏电流和小封装特性，特别适合用于对功耗和空间要求严格的便携式设备。
在汽车电子领域，TISP4350T3BJR 可用于车载通信系统（如CAN总线）、传感器接口和车载充电器等模块，提供稳定的电压抑制保护，确保车辆电子系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。
由于其具备双向保护能力，TISP4350T3BJR 也常用于保护差分信号线路，如RS-485、RS-422等工业总线系统，为数据通信提供稳定可靠的保护。
P6KE440CA, SMAJ430A, SM8S430A
