DMP68D1LV 是一款 N 沫极型功率场效应晶体管(MOSFET),专为高效率、低功耗应用设计。该器件采用先进的制程技术,具有较低的导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理场景。
其封装形式为 SOT-23,能够提供出色的散热性能,并在有限的空间内实现高效的功率转换。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:1.7A
导通电阻:140mΩ
栅极电荷:5nC
总电容:90pF
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
DMP68D1LV 的主要特点是具备低导通电阻和高开关速度,这使其非常适合要求高效能的应用场合。此外,其紧凑的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间,同时保持良好的热稳定性。
该器件还具有以下优势:
- 极低的导通电阻确保更低的传导损耗。
- 快速开关时间减少开关损耗。
- 高雪崩能力提高了系统的可靠性。
- 支持表面贴装技术(SMT),简化制造流程。
DMP68D1LV 在设计上考虑到了电气隔离、过流保护以及电磁兼容性等方面的要求,因此可以广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
DMP68D1LV 主要用于需要高效率和小型化解决方案的场景,包括但不限于以下应用:
- 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
- DC-DC 转换器,如降压或升压电路。
- 电池管理系统(BMS)。
- 消费类电子产品中的负载开关。
- LED 驱动器。
- 各种电机驱动电路。
由于其低功耗特性和小尺寸封装,DMP68D1LV 成为众多便携式设备的理想选择。
DMN2020UFQ, FDN340P, BSS138