时间：2025/8/25 0:06:00
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SGP5N60RUF 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的沟槽式技术，能够在高电压和高电流条件下提供优异的性能。SGP5N60RUF具备较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率，适用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制以及各种高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：5A
最大漏源电压：600V
导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大）
栅极阈值电压：2~4V
耗散功率：50W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
SGP5N60RUF具备多项优异的电气和热性能特性，首先，其最大漏源电压为600V，使其适用于中高功率应用，如电源适配器、充电器和电机驱动器。漏极电流额定为5A，能够支持较高负载的开关控制。
导通电阻最大为2.2Ω，有助于减少在导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。此外，该MOSFET的栅极阈值电压范围为2~4V，确保在常见的控制电路中能够稳定触发导通。
SGP5N60RUF采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，有助于在高功率操作下保持稳定的温度。其耗散功率为50W，允许在较高负载条件下工作而不至于过热损坏。该器件的工作温度范围从-55°C到150°C，适应各种恶劣环境下的运行条件。
此外，SGP5N60RUF具有较高的可靠性，适用于长时间运行的工业设备和电源系统。该MOSFET在设计上优化了开关特性，减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。
SGP5N60RUF广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源、AC-DC适配器、充电器、马达控制模块、逆变器以及DC-DC转换器等。其高耐压和低导通电阻特性使其在节能型电源设计中表现出色，尤其适合对效率要求较高的消费类电子产品和工业控制系统。
在家电领域，SGP5N60RUF可用于控制电机和加热元件的开关操作，提升能效并延长设备使用寿命。在照明系统中，该MOSFET可作为高效LED驱动器的功率开关，实现更稳定的亮度控制和更低的能耗。此外，在太阳能逆变器和储能系统中，SGP5N60RUF也可用于功率转换和能量管理模块，提高能源利用率。
SGP5N60RUF的替代型号包括SGP5N60C、SGP5N60S、SGP5N60T、SGP5N60V
