GT28-4.2CF 时间：2025/9/4 7:26:05 阅读：3

GT28-4.2CF 是一款高性能的碳化硅（SiC）功率晶体管，专为高频率、高效率的电力电子应用而设计。该器件采用了先进的碳化硅材料技术，相较于传统的硅基功率器件，具有更低的导通损耗和开关损耗，更高的工作温度耐受性以及更高的可靠性。GT28-4.2CF 主要面向工业电源、电动汽车（EV）充电系统、可再生能源逆变器和储能系统等应用领域。该器件属于MOSFET类型，具备电压驱动特性，易于并联使用。

参数

漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：28A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.2mΩ
　　栅极电荷（Qg）：180nC（典型值）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0nC（SiC MOSFET无体二极管反向恢复）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-247

特性

GT28-4.2CF 的核心优势在于其采用碳化硅技术所带来的卓越性能。首先，其极低的导通电阻（4.2mΩ）确保了在高电流条件下仍然保持极低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。其次，由于碳化硅材料的宽带隙特性，该器件在高温环境下依然能够保持良好的稳定性，极大地增强了其在恶劣工作条件下的可靠性。
　　此外，GT28-4.2CF 拥有出色的开关性能，显著降低了开关过程中的能量损耗。这种低开关损耗使得该器件非常适合用于高频开关电路中，例如DC-DC转换器、AC-DC整流器和逆变器系统。与传统硅基IGBT相比，GT28-4.2CF 在开关过程中不会产生尾电流，进一步提高了系统的响应速度和能效。
　　另一个显著的特性是其优异的热管理能力。碳化硅材料具有良好的导热性能，使得该器件能够在高功率密度条件下保持较低的结温，减少散热设计的复杂度，并有助于实现更紧凑的功率模块设计。

应用

GT28-4.2CF 主要适用于需要高效、高频和高可靠性的电力电子系统。典型的应用场景包括但不限于：电动汽车车载充电器（OBC）、充电桩系统、太阳能逆变器、储能系统（ESS）以及工业级不间断电源（UPS）。在这些应用中，GT28-4.2CF 能够有效降低系统的能量损耗，提升整体效率，并支持更紧凑的电路设计。
　　在电动汽车充电系统中，GT28-4.2CF 的高频开关特性可以减小滤波器和变压器的体积，从而降低系统的整体重量和成本。在可再生能源系统中，如光伏逆变器，该器件的高效率和高温度耐受性使其能够在高温环境下稳定运行，延长系统的使用寿命。
　　此外，该器件也适用于高功率密度的DC-DC转换器设计，例如用于5G通信基站的电源系统、数据中心服务器电源等，能够显著提升能效并优化散热方案。