时间：2025/6/6 17:18:41
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FDD86250-F085是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，能够提供低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率电源设计。
它属于N沟道增强型MOSFET，广泛用于负载开关、DC-DC转换器、电机驱动等领域。其出色的性能使其成为现代电子设备中不可或缺的关键元件。
型号：FDD86250-F085
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：4.5mΩ
Id（持续漏电流）：117A
Qg（栅极电荷）：9nC
Vgs(th)（栅源开启电压）：1.5V
Pd（最大功耗）：240W
封装：TO-247
FDD86250-F085具有非常低的导通电阻Rds(on)，仅为4.5mΩ，这大大减少了导通损耗，从而提高了系统效率。
此外，该器件具备快速开关能力，其栅极电荷Qg为9nC，确保在高频操作下仍能保持高效性能。
FDD86250-F085还支持高达117A的持续漏电流，满足高功率应用需求。同时，其小型化和优化的热性能封装设计有助于简化散热管理。
该器件工作温度范围广，从-55°C到175°C，适合各种恶劣环境下的应用。
FDD86250-F085主要应用于需要高效功率转换和开关的场景，包括但不限于：
1. 工业级DC-DC转换器
2. 高功率负载开关
3. 汽车电子系统中的电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 通信电源模块
6. 笔记本电脑适配器及充电器
其优异的电气特性和可靠性使其成为这些领域的理想选择。
FDD86250D, IRF260N, FDP5500
