容量：16MB
　　组织结构：1M x16
　　工作电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：0°C至70°C
　　最大工作频率：100MHz
　　刷新周期：64ms

HM5212165DLFD10具备多种优良特性，使其在众多DRAM芯片中脱颖而出。首先，其16MB的存储容量能够满足大多数嵌入式系统和计算机外设的需求。1M x16的组织结构允许数据以16位宽度进行读写，提高了数据传输效率。10ns的访问时间意味着芯片能够在高速操作中保持良好的响应能力。
　　其次，该芯片采用5V工作电压，确保了其在不同工作条件下的稳定运行。同时，54引脚TSOP封装不仅提供了良好的散热性能，还减少了电路板的空间占用，便于在高密度PCB设计中使用。
　　此外，HM5212165DLFD10的工作温度范围为0°C至70°C，适用于大多数工业和商业应用环境。64ms的刷新周期确保了数据在断电情况下仍能保持较长时间，提高了系统的可靠性。该芯片的最大工作频率为100MHz，支持高速数据传输和处理，适合用于需要高性能内存的系统。

HM5212165DLFD10广泛应用于需要大容量内存的各种电子设备中。常见的应用领域包括个人计算机、服务器、网络设备、工业控制设备以及嵌入式系统。在个人计算机和服务器中，该芯片可用于扩展内存，提高系统的处理能力和响应速度。在网络设备中，HM5212165DLFD10能够支持高速数据转发和处理，确保网络通信的稳定性。在工业控制和嵌入式系统中，该芯片可为数据存储和缓存提供高效解决方案，提升系统性能。

HM5212165DJFP10, HM5212165DJP10, HM5212165DTFP10