类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5A（在25°C时）
　　最大功耗（PD）：75W
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-66

3N182 MOSFET具备良好的导通特性和较高的开关速度，适合用于中等功率的开关和放大应用。其主要特性包括：1. N沟道结构使其在正栅压下导通，适合常见的逻辑电平驱动；2. 最大漏源电压为100V，适用于中高压应用；3. 连续漏极电流可达5A，在适当的散热条件下可支持较高的负载；4. 导通电阻约为0.4Ω，虽不如现代MOSFET低，但在当时具有较好的效率表现；5. TO-66金属封装提供了良好的机械稳定性和热管理能力，适合工业环境下的长期运行；6. 具有良好的抗静电能力和温度稳定性，可在较宽的温度范围内工作。尽管3N182是较老的型号，但其稳定性和可靠性仍使其在一些传统设备中得以保留使用。
　　该器件的驱动方式较为简单，仅需适当的栅极电压即可控制其导通与关断。其栅极驱动电压通常为10V以上以确保完全导通。此外，3N182的开启阈值电压一般在2V至4V之间，意味着在低于该电压时MOSFET将处于关断状态。虽然其导通电阻相对较高，但在低频应用中仍能提供足够的性能。

3N182 MOSFET常用于以下场合：1. 音频功率放大器中的输出级，特别是在电子管放大器的替代设计中；2. 开关电源中的DC-DC转换器和稳压电路；3. 电机驱动电路，用于控制直流电机的启停和方向；4. 工业控制系统的开关电路，如继电器替代、负载切换等；5. 电池供电设备中的功率管理电路；6. 各类实验和原型设计中作为中功率开关器件使用。由于其结构简单、可靠性高，3N182在教育和实验教学中也常被用作教学器件。

IRF540, 2N6756, BUZ11