输出电压：4.8V
　　输出电流：800mA
　　输入电压范围：2.2V - 6.0V
　　压差电压：典型值180mV@800mA负载
　　静态电流：典型值80μA
　　关断电流：最大1μA
　　输出电压精度：±1%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：SOT23-5

SGM820B-4.8XTDE8G/TR 具备多项先进特性，确保其在复杂环境中稳定运行。首先，它采用了CMOS工艺，提供了极低的静态电流，从而提高了整体系统的能效，特别适用于对功耗敏感的应用场景。该LDO具有低输出噪声特性，通常小于30μVRMS，适用于对电源噪声敏感的射频（RF）电路和高精度模拟电路。此外，SGM820B-4.8XTDE8G/TR 集成了多种保护机制，包括过流保护、过温保护和反向电流保护，有效防止器件在异常条件下受损。其快速瞬态响应能力使其在负载突变时能够迅速恢复输出电压稳定，确保系统正常运行。该器件的封装形式为SOT23-5，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。
　　SGM820B-4.8XTDE8G/TR 的高输出电压精度（±1%）确保了系统在各种工作条件下的稳定性，特别适合用于为微处理器、ADC/DAC、传感器和其他精密模拟电路供电。其输入电压范围宽（2.2V至6.0V），允许使用多种类型的电源适配器或电池供电，增强了设计的灵活性。同时，该LDO在重负载下仍能保持较低的压差电压（典型值180mV），从而提高了电池供电系统的续航能力。

SGM820B-4.8XTDE8G/TR 广泛应用于需要高稳定性和低噪声的电子系统中。常见应用包括便携式消费电子产品（如智能手表、TWS耳机、手持设备）、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、LoRa模块）、传感器接口电路、测试与测量仪器、工业控制系统以及低功耗物联网（IoT）设备。由于其出色的电源抑制比（PSRR）和低输出噪声特性，该LDO也常用于为射频（RF）前端、音频放大器和高精度模数转换器（ADC）提供干净的电源供应。此外，SGM820B-4.8XTDE8G/TR 的紧凑封装形式和低功耗特性使其成为电池供电设备和高密度PCB布局的理想选择。
　　在设计中，建议在输入和输出端各加一个陶瓷电容（通常为1μF至10μF）以提高稳定性和瞬态响应性能。该器件可作为后级稳压器使用，为开关电源（SMPS）提供进一步的滤波和稳压，减少开关噪声对敏感电路的影响。

LM1117-4.8, XC6206P482MR-G, TPS7A3001-4.8