时间：2025/8/1 18:15:07
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NTMFS4926NET1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双通道 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET，采用单一封装形式，适用于需要高效率和小尺寸设计的电源管理应用。该器件集成了一个 N 沟道 MOSFET 和一个 P 沟道 MOSFET，通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备和同步整流器等应用。
类型：双通道 MOSFET（N+P）
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：5.8A（N 沟道），5A（P 沟道）
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ（N 沟道），35mΩ（P 沟道）
栅极电压（VGS）：±20V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-55°C 至 150°C
NTMFS4926NET1G 具有低导通电阻的特点，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。其双通道结构在一个封装中集成了 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，节省了 PCB 空间，适用于紧凑型设计。
该器件的栅极驱动电压范围宽，可达 ±20V，提供良好的栅极控制性能，同时具备较高的耐用性和稳定性。NTMFS4926NET1G 还具有良好的热性能，能够在较高温度下运行而不会显著影响性能。
此外，该 MOSFET 支持快速开关操作，适用于高频开关电源应用，能够有效降低开关损耗。其封装形式为 TSOP，便于表面贴装，适合自动化生产和焊接工艺。
NTMFS4926NET1G 常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及便携式电子设备中的电源管理部分。其双 MOSFET 集成设计使其在笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他低功耗系统的电源转换中表现出色。
Si4460BDY, IRF7427, FDS4936
