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GA1210Y683KXBAT31G 发布时间 时间:2025/5/29 0:28:53 查看 阅读:7

GA1210Y683KXBAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有高增益、低噪声和高线性度的特点,能够有效提升信号强度并降低失真。它适用于无线通信设备,如基站、路由器和卫星通信系统等。

参数

型号:GA1210Y683KXBAT31G
  封装形式:QFN
  工作电压:4.5V - 5.5V
  频率范围:800MHz - 2.7GHz
  增益:25dB
  输出功率:30dBm
  线性度:ACLR > 55dBc
  噪声系数:3dB
  工作温度范围:-40℃ - +85℃

特性

GA1210Y683KXBAT31G 的主要特性包括:
  1. 高效的功率放大能力,可显著增强信号传输距离。
  2. 具有良好的线性度,在高功率输出时仍能保持较低的失真。
  3. 内置保护电路,防止过热或过载对芯片造成损坏。
  4. 封装紧凑,便于在小型化设计中使用。
  5. 支持多频段操作,灵活性强,适用于多种射频应用场景。
  6. 低功耗设计,优化了系统的整体能耗表现。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 无线通信基站中的射频模块。
  2. 路由器和接入点的信号放大。
  3. 卫星通信系统的发射端。
  4. 工业物联网 (IIoT) 设备的射频部分。
  5. 移动终端设备的功率放大组件。
  6. 测试测量仪器中的高频信号处理单元。

替代型号

GA1210Y683KXA, GA1210Y683KXB, GA1210Y683KXC

GA1210Y683KXBAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-