时间：2025/3/26 17:36:48
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TMK212BJ225MG-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用设计。该芯片采用先进的沟槽式结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著降低功耗并提高系统性能。
其封装形式为 TO-263，支持表面贴装工艺，适合大规模自动化生产。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：120A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：25pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效减少传导损耗。
2. 快速开关能力，降低了开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件在异常条件下的可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，优化了同步整流性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 耐热增强型封装，有助于提高散热性能。
1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
2. 工业电机控制与驱动。
3. DC-DC 转换器及逆变器。
4. 电动工具和家用电器中的功率管理。
5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源设备。
IRFP2907, FDP18N40E, IXTH120N40T2
