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TMK212BJ225MG-T 发布时间 时间:2025/3/26 17:36:48 查看 阅读:9

TMK212BJ225MG-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用设计。该芯片采用先进的沟槽式结构,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高系统性能。
  其封装形式为 TO-263,支持表面贴装工艺,适合大规模自动化生产。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:75nC
  总电容:25pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有效减少传导损耗。
  2. 快速开关能力,降低了开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,提升了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 内置反向恢复二极管,优化了同步整流性能。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 耐热增强型封装,有助于提高散热性能。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
  2. 工业电机控制与驱动。
  3. DC-DC 转换器及逆变器。
  4. 电动工具和家用电器中的功率管理。
  5. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源设备。

替代型号

IRFP2907, FDP18N40E, IXTH120N40T2

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TMK212BJ225MG-T参数

  • 标准包装3,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 电容2.2µF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±20%
  • 温度系数X5R
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.053"(1.35mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-