SGM809B是一款由Silicon Mitus(矽力杰)设计的高精度、低功耗低压差线性稳压器(LDO)。该芯片能够提供高达300mA的输出电流,具有出色的负载和线路瞬态响应特性。其超低的静态电流和高电源抑制比(PSRR)使其非常适合便携式设备和其他对电池寿命要求较高的应用。封装形式为TXN3LG/TR,属于超小型DFN封装,有助于节省PCB空间。
输入电压范围:1.5V~5.5V
输出电压范围:0.8V~5.0V(以10mV步进可调)
最大输出电流:300mA
典型静态电流:1.8uA
dropout电压:200mV(@300mA负载)
PSRR:60dB(@1kHz)
工作温度范围:-40℃~+85℃
封装:TXN3LG/TR(DFN3*3-8L)
SGM809B采用了先进的CMOS工艺制造,具备极低的静态电流,适合用于电池供电系统以延长续航时间。
其高PSRR特性可以有效抑制电源噪声,保证系统的信号完整性。
芯片内置过流保护、短路保护以及过温保护功能,提高了产品的可靠性和安全性。
支持超宽的工作电压范围,适用于多种电源场景,例如单节锂离子电池或USB电源输入。
非常小的DFN封装形式进一步优化了空间利用率,适合紧凑型设计需求。
SGM809B广泛应用于各类消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机以及其他便携式电子设备。
此外,它也非常适合工业控制设备、物联网节点模块等需要高效能和低功耗的领域。
由于其优秀的噪声抑制能力,还可用于射频前端电路、音频放大器供电等对电源质量要求较高的场景。
AP2112K
TPS7A05
RT9091