时间：2025/6/22 4:21:08
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ME6210A36PG 是一款由 ME 半导体公司生产的高性能、低功耗的 36V N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用了先进的沟槽工艺制造，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于各种电源管理应用。其封装形式为 PG-DSO 封装，能够提供卓越的散热性能以及电气特性。
最大漏源电压：36V
连续漏电流：45A
导通电阻（典型值）：2.8mΩ
栅极电荷：67nC
总电容（输入电容）：1290pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
ME6210A36PG 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频应用环境。
3. 强大的耐热能力，支持在极端温度条件下运行。
4. 内置 ESD 保护功能，增强了芯片的可靠性。
5. 快速的开关速度，减少了开关损耗并提高了效率。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该器件广泛应用于多种领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. DC/DC 转换器和逆变器。
3. 电机驱动和负载开关。
4. 工业自动化设备中的功率控制电路。
5. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统。
6. 各种需要高效功率处理的场合。
ME6210A36NPG, IRF3710, FDP5800
