NCE60P82A 时间：2025/5/20 16:20:48 阅读：6

NCE60P82A是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的应用场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并降低功耗。
　　这款器件属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式通常为TO-220或SMD类型，具体取决于制造商的设计。NCE60P82A凭借其出色的电气特性和稳定性，在工业控制、消费电子以及通信设备领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压：80V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：60A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　开关时间：ton=18ns, toff=32ns
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

NCE60P82A具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了传导损耗，提高了整体效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频应用场合。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了在异常情况下的鲁棒性。
　　4. 优化的热性能设计，保证了在高功率密度环境下的可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保无铅制造工艺。
　　6. 提供多种封装选择以适应不同的PCB布局需求。

应用

NCE60P82A适用于以下典型应用场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
　　2. DC-DC转换器的同步整流电路。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 电池保护及充放电管理系统。
　　5. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. LED照明驱动中的关键功率处理组件。