时间：2025/4/27 11:59:54
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NGTB40N120FL2WG 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沱功率 MOSFET，采用 PDFN8 封装。该器件以其低导通电阻和高开关速度而著称，适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等。它能够在高达 120V 的电压下工作，并具备出色的热性能。
该型号是 Nexperia 的第三代 Low VDS MOSFET 系列的一部分，优化了导通电阻与栅极电荷之间的权衡，从而实现了高效的功率转换。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：40A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：29nC（典型值）
总栅极电荷：37nC（典型值）
输入电容：1220pF（典型值）
功耗：326W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PDFN8
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能力，确保在异常条件下具有更高的可靠性。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 具备 ESD 保护功能，提高了制造和使用中的抗静电能力。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，同时提供良好的散热性能。
6. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
7. 无铅且符合 RoHS 标准，环保友好。
1. 汽车电子系统中的负载开关和电机控制。
2. 工业自动化设备中的功率转换。
3. 电信电源和服务器电源中的同步整流。
4. 电池管理系统中的保护电路。
5. LED 驱动器和 DC-DC 转换器中的高效开关元件。
6. 便携式电子设备中的电源管理模块。
7. 高压大电流应用中的功率级控制单元。
NGTB40N120L2G, IRF1405Z, FDP18N120E
