工作电压范围：3.9V - 14V
　　充电电压精度：±1%
　　最大充电电流：1.2A（可通过外部电阻调节）
　　充电电压设置：4.35V（适用于Li-ion电池）
　　静态工作电流：典型值为25μA
　　关断电流：小于1μA
　　过温保护（OTP）功能：内置
　　过压保护（OVP）功能：内置
　　欠压锁定（UVLO）功能：内置
　　封装类型：TDFN-6

SGM41000C-4.35YUDT6G/TR具备高集成度和出色的热管理能力，能够在高充电电流下保持稳定运行。该芯片采用恒流/恒压双模式控制，确保电池在安全范围内高效充电。其内置的功率MOSFET省去了外部MOSFET的需求，减少了外围元件数量，降低了设计复杂度和PCB空间占用。此外，SGM41000C-4.35YUDT6G/TR还具备多种保护机制，包括过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）以及电池短路保护等，确保系统的稳定性和安全性。
　　该IC还支持充电状态指示功能，通过外部LED或MCU引脚反馈当前充电状态，包括充电中、充电完成和故障状态。其充电电流可通过一个外部电阻进行调节，使得设计者可以根据具体应用需求灵活调整充电参数。SGM41000C-4.35YUDT6G/TR在低功耗待机模式下电流消耗极低，有助于延长设备的待机时间，特别适用于电池供电设备。
　　此外，该芯片具备良好的热管理功能，在高充电电流下能够自动调节温度，防止因过热导致的系统不稳定。其封装形式为TDFN-6，具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。

SGM41000C-4.35YUDT6G/TR广泛应用于单节锂离子电池供电的便携式设备中，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表、电子烟、便携式医疗设备、无线耳机、移动电源等。该芯片的高集成度和多功能保护机制，使其非常适合用于对空间和安全性要求较高的消费类电子产品。

BQ24075, TP4056, MCP73831