时间：2025/5/19 17:00:27
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DMP1046UFDB 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 UFQFN-6L 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能电源管理应用。其主要特点是出色的热性能和紧凑的封装尺寸，适合用于空间受限的设计环境。
这款 MOSFET 常被用作负载开关或同步整流器中的功率开关元件，支持高频操作并提供高效率转换。其低 RDS(on) 特性可显著减少传导损耗，从而提高系统整体效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：15nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：UFQFN-6L
DMP1046UFDB 的主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），在 4.5V 栅极驱动时典型值为 7mΩ，这有助于降低功耗并提升效率。此外，其栅极电荷较低，仅为 15nC，确保了高效的开关性能，特别适合高频应用。
该器件还具备出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。同时，由于采用了 UFQFN-6L 封装，它的占位面积小，非常适合便携式设备和其他对 PCB 空间要求较高的应用。
DMP1046UFDB 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信领域。常见的应用场景包括：
1. 手机和平板电脑中的负载开关
2. USB 充电器和适配器中的同步整流
3. DC-DC 转换器中的功率开关
4. 电池管理系统中的保护电路
5. 电机驱动中的功率级开关
这些应用充分利用了 DMP1046UFDB 的低导通电阻、快速开关能力和紧凑封装的优势。
DMP1047UFDB, DMN2998UFDB
