容量：256K x 16位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：165-TQFP
　　功耗：典型值为180mA
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　时序类型：异步
　　数据保持电压：2.0V至3.6V

LH28F016SCT-Z6 是一款专为高性能应用设计的异步SRAM，具备出色的存取速度和低功耗特性。其高速访问时间为5.4ns，使得该芯片能够在高频系统中提供快速可靠的数据读写能力。该器件支持异步操作，适用于不需要时钟同步的系统架构，提供灵活的控制信号（如CE#, OE#, 和 WE#），便于与多种微处理器和控制器连接。
　　该SRAM采用低功耗CMOS技术，在保持高速性能的同时显著降低功耗，非常适合用于对能耗敏感的应用场景。其宽工作电压范围（2.0V至3.6V）使其在不同的电源条件下都能稳定运行，增强了系统的可靠性和适应性。
　　此外，LH28F016SCT-Z6具有宽温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业级环境，能够稳定运行在高温或低温条件下，确保在恶劣环境中仍能保持良好的性能。其165-TQFP封装设计节省空间，便于在紧凑型PCB设计中使用，适合高密度集成应用。
　　这款SRAM还具备高抗干扰能力，能够有效抵抗电磁干扰（EMI）和静电放电（ESD），提高了设备在工业环境中的稳定性。其数据保持能力在掉电情况下仍可通过外部电源维持数据完整性，适用于需要长期存储关键数据的系统。

LH28F016SCT-Z6 SRAM广泛应用于工业控制、通信设备、网络路由器、测试仪器、嵌入式系统和高性能计算模块等场景。它特别适用于需要高速缓存、临时数据存储或高速缓冲的系统设计中，例如作为微控制器的外部存储器、高速缓冲存储器（Cache）或数据缓冲区。该芯片也常用于需要长时间运行且对可靠性要求较高的设备中，如自动化设备、工业PC和远程监控系统。

CY7C1041CV33-55BZC, IDT71V416SA8BQBG, IS61LV25616-10B4BLI