输出电压：1.2V
　　输出电流：最大300mA
　　输入电压范围：2.5V 至 6.0V
　　静态电流：120μA（典型值）
　　电源抑制比（PSRR）：70dB @ 1kHz
　　输出电压精度：±1.5%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOT-23-5

SGM2225-12XKC3G/TR 具备多项优异特性，使其适用于高要求的电源管理应用。首先，其低静态电流（典型值为120μA）使得该器件非常适合用于电池供电设备，有助于延长设备的续航时间。其次，该LDO具备高电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下可达到70dB，能够有效抑制输入电源中的噪声和纹波，确保输出电压的稳定性。
　　该器件还具备良好的负载和线路瞬态响应能力，能够在负载电流快速变化时保持输出电压的稳定。此外，SGM2225-12XKC3G/TR 内置过热保护和过流保护功能，确保在异常工作条件下器件和系统的安全。
　　SGM2225-12XKC3G/TR 采用 SOT-23-5 小型封装，节省电路板空间，适合用于高密度PCB设计。其固定输出电压版本（1.2V）特别适用于为低功耗处理器、FPGA、传感器和射频模块提供稳定电源。

SGM2225-12XKC3G/TR 主要用于对电源噪声和稳定性要求较高的电子系统中。常见应用包括便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）、无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee）、工业传感器、医疗设备、数据采集系统以及各类低功耗嵌入式系统。
　　在射频和模拟电路中，SGM2225-12XKC3G/TR 可以为低噪声放大器（LNA）、混频器、ADC/DAC等敏感模拟元件提供干净的电源，从而提高系统性能和信噪比。此外，在数字系统中，它也常用于为低电压微处理器、FPGA和ASIC供电，确保其在各种输入电压波动情况下稳定运行。

TPS73212DBVR, LM1117-1.2V