时间：2025/5/8 13:22:18
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DS1225 是一款由 Maxim Integrated 生产的双通道非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)。该器件具有两个独立的存储器通道，每个通道容量为 64K x 8 位（总计 128K 字节）。DS1225 集成了电池供电的非易失性保护功能，能够在系统掉电时自动将数据保存到非易失性存储器中。
DS1225AB-70IND 是 DS1225 系列的一个具体封装型号，采用 32 引脚 SOIC 封装，并支持标准同步 SRAM 接口。它适用于需要高可靠性和快速访问时间的应用场景。
工作电压：3.3V 或 5V
存储容量：128K 字节（64K x 8 x 2）
数据保留时间：超过 10 年（在电池供电模式下）
写入周期：无限制
读/写访问时间：70ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：32 引脚 SOIC
DS1225AB-70IND 的主要特性包括：
1. 高速同步 SRAM 接口，兼容标准 SRAM 控制信号。
2. 内置非易失性保护功能，确保在主电源故障时数据不会丢失。
3. 双通道设计允许同时访问两个独立的存储区域。
4. 支持电池备份，延长数据保留时间。
5. 超低功耗待机模式，减少能量消耗。
6. 提供多种电压选项以适应不同应用场景。
7. 工业级温度范围，适合苛刻环境下的应用。
8. 快速读写访问时间，优化系统性能。
这些特性使 DS1225 成为需要高可靠性、快速访问和数据保护的关键应用的理想选择。
DS1225AB-70IND 广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化设备中的配置和状态数据存储。
2. 医疗设备的数据记录与参数保存。
3. 通信系统中的缓冲和临时数据存储。
4. 计量仪器和测试设备中的关键数据保护。
5. 嵌入式系统的固件或参数备份。
6. 数据采集系统中的高速缓存。
由于其非易失性和高速性能，DS1225 在需要频繁读写且必须保证数据完整性的场合表现尤为出色。
DS1225YB-70IND
DS1225AB-70GJ
DS1225AB-70NBR
