输出电压：1.1V
　　输出电流：300mA
　　输入电压范围：2.2V 至 5.5V
　　静态电流：40μA
　　压差电压：55mV@300mA
　　纹波抑制比：70dB@1kHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOT-25

SGM2037-1.1XN5G/TR具备多项优良特性，确保其在多种应用环境下的稳定性和可靠性。
　　首先，其低静态电流（仅40μA）显著延长了电池供电设备的使用时间，使其非常适合于便携式电子产品，如智能手环、无线耳机和物联网设备。
　　其次，该LDO具有极低的压差电压，在300mA负载下仅为55mV，从而提高了能量转换效率，并允许输入电压更接近输出电压，提升了系统的整体能效。
　　此外，SGM2037-1.1XN5G/TR具有高达70dB的纹波抑制比（PSRR），在1kHz频率下仍保持优异的噪声抑制能力，可为高精度模拟电路、射频模块和低噪声放大器提供干净的电源，减少系统噪声干扰。
　　该器件还集成了多种保护功能，包括过流保护、过温保护和反向电流保护，有效防止异常工况对芯片的损害，提高了系统稳定性与安全性。
　　SGM2037-1.1XN5G/TR采用SOT-25小型封装，占用PCB面积小，适用于高密度布局的便携式电子产品设计。

SGM2037-1.1XN5G/TR广泛应用于需要稳定低压电源的各类电子设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线通信模块、传感器系统以及电池管理系统等。在便携式医疗设备、智能电表和工业控制系统中，该LDO可为微控制器、ADC/DAC、运算放大器及射频前端提供稳定可靠的电源供应。此外，由于其出色的噪声抑制能力和快速瞬态响应，SGM2037-1.1XN5G/TR也常用于音频放大器、GPS接收器和无线传感器网络等对电源质量要求较高的场景。

TPS78211QDBVRQ1, XC6220B11MR-G, NCP170ASX-1.1VFA