PD19-73LF是一种高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该芯片具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。它采用了先进的半导体制造工艺,确保了其在高频工作条件下的稳定性和可靠性。
此型号为N沟道增强型MOSFET,适用于各种需要高效能功率切换的应用环境。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:25A
导通电阻:2.5mΩ
总栅极电荷:45nC
输入电容:1800pF
工作结温范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,能够显著减少导通损耗,提升整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
3. 较高的电流承载能力,可满足大功率需求。
4. 具备优异的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 小型化封装设计,有助于节省电路板空间。
6. 提供出色的抗静电能力(ESD保护),提高了产品的可靠性。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 各种类型的DC-DC转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)。
6. 汽车电子中的功率管理模块。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRF740,
STP20NF5,
FDP15U60,
SI4874DY