时间：2025/8/25 3:24:37
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SGH13N60UFD是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理系统。SGH13N60UFD采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于工业和消费类电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：13A
导通电阻（Rds(on)）：≤0.45Ω
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
SGH13N60UFD具有优异的导通性能和开关速度，能够在高电压环境下保持稳定运行。其低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下长时间工作而不会失效。此外，SGH13N60UFD内置快速恢复二极管（FRD），进一步提升了其在高频开关应用中的性能，减少了外部元件的使用需求。
SGH13N60UFD的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了与控制电路的接口。其封装设计提供了良好的散热能力，确保在高功率应用中的可靠性。该MOSFET适用于多种拓扑结构，如降压（Buck）、升压（Boost）和反激（Flyback）变换器，广泛用于电源适配器、电池充电器、UPS系统和照明驱动器等应用中。
SGH13N60UFD主要应用于高效率电源转换系统，包括AC-DC电源、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、LED照明驱动器和工业自动化设备中的功率控制模块。该器件也适用于需要高频开关和低导通损耗的场合，如太阳能逆变器、电动工具和智能家电等消费类电子产品。
SGH15N60UFD, STF13N60DM2, STW13NK60Z, FGL15N60SFD
