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NTGS3455T1G 时间：2023/4/13 11:22:59 阅读：965

-3.5A,-30 V功率MOSFET

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V)：30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：100

最大漏极电流Id(on)(A)：3.500

通道极性：P沟道

封装/温度(℃)：TSOP-6/-55 ~150

资料

厂商
ON Semiconductor

NTGS3455T1G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

NTGS3455T1G
深圳市优尚半导体科技有限公司
30000
ONSEMI/安森美
25+/SOT163

NTGS3455T1G
深圳市思佳捷科技有限公司
45000
ON
24/25+/-

NTGS3455T1G
深圳宝芯林电子科技有限公司
30000
BX
22+/SOT236

NTGS3455T1G
深圳市广弘电子有限公司
13025
ON/安森美
SOT236/19+

NTGS3455T1G
深圳市言信微科技有限公司
12000
ONSEMI
23+/-

NTGS3455T1G
深圳市巨芯电子科技有限公司
6000
ON
21+/SOT23

NTGS3455T1G
深圳市讯运电子有限公司
669419
ORSEMI/安森美
22+/TSOP6

NTGS3455T1G
深圳市中元伟业电子商行
3000
ONSEMI/安森美
24+/TSOP6

NTGS3455T1G
深圳市硅诺电子科技有限公司
85000
ONSemiconductor
25+/TSOP6

NTGS3455T1G
深圳市芯福林电子科技有限公司
61
ON/安森美
SOT163/1831+

NTGS3455T1G
深圳市米特尔科技有限公司
50000
ON
24/25+/SOT236

NTGS3455T1G
深圳市杰兴伟业电子有限公司
300000
JSMSEMI/杰盛微
23+/SOT236

NTGS3455T1G
深圳市奥利腾科技有限公司
50000
ON/安森美
22+/TSOP6

NTGS3455T1G
深圳市英特瑞斯电子有限公司
17500
ON
25+/TSOP6

NTGS3455T1G
深圳市深创辉科技有限公司
2216
ON(安森美)
2024+/TSOP6

NTGS3455T1G
深圳市金科创世纪电子有限公司
41800
-
24+/SOT236

NTGS3455T1G
深圳市博伟奇电子有限公司
12260
-
23+/SOT236

NTGS3455T1G
深圳市讯顺达科技有限公司
5000
ON/安森美
22+/SOT235

NTGS3455T1G
深圳市赛美科科技有限公司
85000
ONSemiconductor
2025+/TSOP6

NTGS3455T1G
深圳市芯巴巴科技有限公司
5000
onsemi(安森美)
-/TSOP6

NTGS3455T1G资料更多>

型号
描述
品牌
阅览下载

NTGS3455T1G
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
阅览

IC词条百科

NTGS3455T1G产品

NTGS3455T1G参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds480pF @ 5V
功率 - 最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74，SOT-457
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)
其它名称NTGS3455T1GOSNTGS3455T1GOS-NDNTGS3455T1GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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