时间：2025/8/2 6:27:11
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DMN3009SSS-13是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用了先进的Trench MOSFET技术，具有低导通电阻和高开关性能的特点，适用于多种电源管理应用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：20V
连续漏极电流(Id)：9A
导通电阻(Rds(on))：22mΩ @ Vgs=10V, 4.5V
功率耗散(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
DMN3009SSS-13具有优异的电性能和热性能，适用于高频率开关应用。其低导通电阻特性使其在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在严苛的环境条件下可靠工作。
该器件的封装形式为PowerPAK SO-8，具有较小的封装尺寸，适合高密度PCB布局。DMN3009SSS-13还具备良好的抗雪崩能力和过载保护功能，确保在异常工作条件下的器件安全性。
此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至20V之间的驱动电压，便于与多种控制器或驱动器配合使用。其快速开关特性使其适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等多种应用。
DMN3009SSS-13常用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。其高可靠性和优异的热性能使其在汽车电子、通信设备、消费电子产品和工业设备中得到广泛应用。
Si9401BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7404, BSC016N04LS
