时间：2025/8/16 5:05:52
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D8740250GTH是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和电机控制等应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和高耐压特性，适用于各种需要高效功率控制的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
漏源极击穿电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
封装类型：TO-220
D8740250GTH具有极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高耐压特性使其能够在较为严苛的电气环境下稳定工作。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠的性能。由于其快速开关特性，该MOSFET适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器。该器件的封装形式（TO-220）提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下也能维持较低的工作温度，从而提高整体系统的可靠性。
D8740250GTH广泛应用于电源管理系统、电动车控制器、工业自动化设备、电池管理系统、高功率LED照明驱动电路以及各种高效率电源转换设备。由于其优异的导电性能和热管理能力，该器件也非常适合用于电动工具、无人机和机器人等需要高效功率控制的嵌入式系统中。
TK8A50D,TMOSFET SSM3K34AFV
