FQP4N80 时间：2025/7/17 19:12:41 阅读：6

FQP4N80 是由 Fairchild（飞兆半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)，主要用于高电压、高电流开关应用。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、电机控制和负载开关等多种电力电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：4A
　　最大漏源电压 (VDS)：800V
　　最大栅源电压 (VGS)：±30V
　　导通电阻 (RDS(on))：2.5Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

FQP4N80 的主要特性之一是其在高电压操作下的卓越性能。它能够在高达 800V 的漏源电压下稳定运行，非常适合用于高压电源设计。此外，其导通电阻 RDS(on) 在 VGS = 10V 时为 2.5Ω，这意味着在导通状态下可以实现较低的功率损耗，提高整体效率。
　　该器件还具备良好的热稳定性，采用了优化的封装散热设计，能够有效地将热量从芯片传导到外部环境，从而延长器件寿命并提高系统的可靠性。FQP4N80 还具有快速开关能力，减少了开关过程中的能量损失，适用于高频开关应用。
　　另一个重要特点是其较高的栅极电压耐受能力，最大栅源电压 ±30V 允许使用较高的驱动电压以确保完全导通，同时提高了抗干扰能力。此外，其封装形式（通常为 TO-220 或 DPAK）使得安装简便且适合各种 PCB 布局。

应用

FQP4N80 主要用于需要高电压和较高电流处理能力的电路中。常见的应用包括 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、LED 驱动器、电机控制器以及工业自动化设备中的负载开关等。
　　在电源适配器和充电器中，FQP4N80 可用作主开关器件，负责将交流输入转换为稳定的直流输出。由于其高效率特性，有助于减少发热并提升设备的整体能效。
　　在 LED 照明领域，该器件常用于恒流驱动电路中，以确保 LED 的稳定工作并延长使用寿命。此外，在家用电器如电磁炉、洗衣机等电机控制系统中，FQP4N80 可作为高效的功率开关，实现对电机转速和方向的精确控制。
　　工业设备方面，该 MOSFET 也广泛应用于各类逆变器、不间断电源（UPS）及电池管理系统中，用于实现高效电能转换与管理。