型号：UPS2G220MHD
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：2.2 A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：8.8 A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.36 Ω（@VGS = -10 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45 Ω（@VGS = -4.5 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-2.0 V ~ -4.0 V
　　输入电容（Ciss）：420 pF（@VDS = 25 V）
　　输出电容（Coss）：95 pF（@VDS = 25 V）
　　反向传输电容（Crss）：22 pF（@VDS = 25 V）
　　栅极电荷（Qg）：7.5 nC（@VGS = -10 V）
　　体二极管反向恢复时间（trr）：35 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UPS2G220MHD采用Vishay成熟的沟槽型功率MOSFET制造工艺，具备出色的高压阻断能力和低导通损耗特性。其200V的漏源击穿电压使其能够在高压直流母线或离线式电源系统中可靠运行，有效防止因瞬态过压导致的器件损坏。该器件的RDS(on)典型值仅为0.36Ω（在VGS = -10V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效，尤其适用于对热管理要求严格的紧凑型设计。同时，在较低的栅极驱动电压（如-4.5V）下仍能维持较低的导通电阻（0.45Ω），增强了其与低压逻辑控制器（如微处理器或专用驱动IC）的兼容性，支持直接驱动而无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于其较低的输入电容（Ciss = 420pF）和栅极电荷（Qg = 7.5nC），可减少开关过程中的延迟和能量损耗，从而提高高频开关应用中的效率。其体二极管具备较短的反向恢复时间（trr = 35ns），有助于抑制开关瞬间的电流尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。此外，器件内部结构经过优化，具备良好的抗雪崩能力和热循环耐久性，能够在恶劣的工作条件下长期稳定运行。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅提供了优良的散热路径，还具备与标准SO-8引脚兼容的布局，便于PCB设计迁移和自动化装配。该封装无铅且符合RoHS及无卤素规范，适用于绿色环保产品设计。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度环境中保持性能一致性，适用于工业级和部分军用级应用场景。综合来看，UPS2G220MHD在高压P沟道MOSFET领域展现出卓越的性能平衡，是替代传统通孔器件的理想选择。

UPS2G220MHD广泛应用于各类需要高压P沟道MOSFET进行电源控制的场景。在开关电源（SMPS）中，常用于同步整流或高端开关配置，特别是在反激式或正激式拓扑中作为主开关元件，利用其高耐压和低导通电阻特性来提升转换效率。在DC-DC转换器模块中，该器件可用于降压（Buck）电路的上管开关，适用于输入电压较高的工业电源系统。其快速开关能力和良好的热稳定性也使其成为热插拔控制器中的理想选择，用于控制板卡上电时的浪涌电流，保护后级电路免受冲击。
　　在电池管理系统（BMS）和备用电源装置中，UPS2G220MHD可用于电池充放电路径的通断控制，实现双向电流隔离和故障保护功能。由于其P沟道特性，无需复杂的自举电路即可实现高端驱动，简化了驱动电路设计，降低了系统成本。在电信设备和服务器电源中，该器件被用于冗余电源切换、负载分配和故障隔离等关键环节，确保系统供电的连续性和可靠性。
　　此外，该MOSFET还可应用于电机驱动电路中的制动或刹车控制、LED驱动电源的调光开关、以及工业PLC模块中的固态继电器替代方案。其高可靠性与紧凑封装也适合空间受限的便携式仪器或户外设备使用。总体而言，凡涉及200V以内高压、中低电流开关控制的应用，UPS2G220MHD均是一个高性能、高性价比的解决方案。

SI7422DP-T1-E3
　　FDS6680A