时间：2025/12/28 14:41:25
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SG29055AP 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高功率开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于各种电源管理系统、电机控制电路、DC-DC 转换器以及负载开关等场景。SG29055AP 采用 TO-220 封装形式，具备良好的热管理和电气性能，适用于工业和汽车电子领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：55V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续60A
导通电阻(Rds(on))：最大40mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
SG29055AP 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs = 10V 时最大仅为 40mΩ，这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其漏源电压为 55V，支持在中等电压范围内稳定工作，适用于多种电源转换和管理应用。
该器件的连续漏极电流能力达到 60A，具备出色的电流承载能力和瞬态响应性能，能够在高负载条件下稳定运行。SG29055AP 的栅源电压范围为 ±20V，支持与多种驱动电路兼容，同时具备良好的抗干扰能力和可靠性。
SG29055AP 广泛应用于需要高效率功率开关的场合。常见的应用包括 DC-DC 转换器、电机驱动电路、电源管理系统、负载开关、电池供电设备、工业自动化控制系统以及汽车电子模块等。
在 DC-DC 转换器中，SG29055AP 可作为主开关器件，实现高效的电压转换和稳压功能；在电机驱动电路中，其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高电机控制的精度和效率；在电源管理系统中，该器件可用于实现高效率的负载切换和功率分配。
由于其具备良好的热管理性能和宽工作温度范围，SG29055AP 也适用于汽车电子系统中的各种高功率应用场景，如车载充电器、起动电机控制和车身电子控制模块等。
IRFZ44N, STP60NF06, FDP6030L, NTD60N06L
