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SFR9130TF 发布时间 时间:2025/12/29 14:57:16 查看 阅读:9

SFR9130TF是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。SFR9130TF采用TFLGA封装(薄型四方扁平无引脚封装),具有良好的散热性能,适合高密度安装和小型化设计需求。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):4.2A
  导通电阻(RDS(on)):18mΩ(典型值,@VGS=10V)
  功率耗散(PD):2W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TFLGA

特性

SFR9130TF具备多项优良特性,使其在功率MOSFET中具有较强的竞争力。首先,其低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。其次,该器件具有较高的电流容量(4.2A),适用于中高功率应用。此外,TFLGA封装提供了良好的热管理性能,有助于在高功率密度应用中保持器件的稳定性。
  该MOSFET的栅极耐压能力达到±20V,确保在复杂工作环境下不会因栅极电压波动而损坏。其漏源击穿电压为30V,能够承受一定的瞬态电压冲击,提高了系统的可靠性。SFR9130TF的工作温度范围宽达-55°C至150°C,适用于各种工业和车载环境。
  由于其封装体积小、重量轻,SFR9130TF非常适合用于对空间要求严格的便携式设备和嵌入式系统。同时,该器件的响应速度快,适用于高频开关应用,如同步整流、PWM控制等电路。整体来看,SFR9130TF在性能、尺寸和可靠性方面达到了良好的平衡,是一款适用于多种功率应用的优质MOSFET。

应用

SFR9130TF广泛应用于各类电子设备的电源管理系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动电路、LED驱动器以及工业自动化控制系统。此外,该器件也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块(BCM)等。由于其小型化和高效能的特性,SFR9130TF也常见于便携式设备,如笔记本电脑、平板电脑和智能穿戴设备中的电源管理单元。

替代型号

SiR9130DP-T1-GE3
  NVTFS5C428NLTAG

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SFR9130TF参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压- 100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流9.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.3 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Reel
  • 下降时间25 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升时间22 ns
  • 典型关闭延迟时间45 ns