时间：2025/6/24 15:47:08
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TMK063CG361JT-F 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和功率转换应用。该器件采用了先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点，适合于各种需要高效能和稳定性的电路设计。
这种 MOSFET 通常被应用于电源管理模块、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：36A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：95nC
总功耗：240W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
TMK063CG361JT-F 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，适用于现代高效开关电源设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 紧凑的封装形式（如 TO-247 或 D2PAK），便于集成到紧凑型设计中。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该芯片广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）及 AC-DC 转换器中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路的核心组件。
3. 各种工业电机控制和驱动应用。
4. 汽车电子系统中的负载切换和电池管理。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率转换模块。
TMK063CG361JN-F, IRF3710, FDP18N60
