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MA0402CG2R2B250 发布时间 时间:2025/7/1 0:59:50 查看 阅读:9

MA0402CG2R2B250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率电子元件,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及功率放大器等领域。该芯片采用了先进的封装技术,能够在高频率和高效率的工作条件下保持稳定的性能。其设计优化了热管理和电气特性,使其在各种工业和消费类电子设备中具有广泛的适用性。
  这款元器件的核心特点是其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压能力,同时具备快速开关速度,能够显著降低开关损耗并提升系统效率。

参数

型号:MA0402CG2R2B250
  类型:功率MOSFET
  材料:氮化镓(GaN)
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
  最大电流(Id):100A
  功耗:180W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

MA0402CG2R2B250 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),这使得它在高电流应用中表现出色,减少了导通损耗。
  2. 高击穿电压(600V),确保其在高压环境下的可靠性。
  3. 快速开关速度,支持高频工作模式,降低了开关损耗并提高了整体系统效率。
  4. 采用氮化镓材料,相比传统硅基器件具有更高的效率和更小的尺寸。
  5. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应多种极端环境条件。
  6. TO-247-4L 封装,增强了散热性能和电气隔离能力。

应用

MA0402CG2R2B250 广泛应用于以下领域:
  1. 高频开关电源(SMPS),如服务器电源、通信电源等。
  2. 工业级 DC-DC 转换器,用于电动汽车、储能系统和其他高效能量转换场景。
  3. 功率因数校正(PFC)电路,提高电力系统的效率和稳定性。
  4. 电机驱动和逆变器,适用于工业自动化和家电控制。
  5. 充电器和适配器,尤其是快充技术相关的消费类电子产品。
  6. 射频功率放大器,满足无线通信和雷达系统的需求。

替代型号

MA0402CG2R2B200, MA0402CG2R2B300, MA0402CG2R2B150