MA0402CG2R2B250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率电子元件,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及功率放大器等领域。该芯片采用了先进的封装技术,能够在高频率和高效率的工作条件下保持稳定的性能。其设计优化了热管理和电气特性,使其在各种工业和消费类电子设备中具有广泛的适用性。
这款元器件的核心特点是其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压能力,同时具备快速开关速度,能够显著降低开关损耗并提升系统效率。
型号:MA0402CG2R2B250
类型:功率MOSFET
材料:氮化镓(GaN)
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
最大电流(Id):100A
功耗:180W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-4L
MA0402CG2R2B250 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),这使得它在高电流应用中表现出色,减少了导通损耗。
2. 高击穿电压(600V),确保其在高压环境下的可靠性。
3. 快速开关速度,支持高频工作模式,降低了开关损耗并提高了整体系统效率。
4. 采用氮化镓材料,相比传统硅基器件具有更高的效率和更小的尺寸。
5. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +175℃),适应多种极端环境条件。
6. TO-247-4L 封装,增强了散热性能和电气隔离能力。
MA0402CG2R2B250 广泛应用于以下领域:
1. 高频开关电源(SMPS),如服务器电源、通信电源等。
2. 工业级 DC-DC 转换器,用于电动汽车、储能系统和其他高效能量转换场景。
3. 功率因数校正(PFC)电路,提高电力系统的效率和稳定性。
4. 电机驱动和逆变器,适用于工业自动化和家电控制。
5. 充电器和适配器,尤其是快充技术相关的消费类电子产品。
6. 射频功率放大器,满足无线通信和雷达系统的需求。
MA0402CG2R2B200, MA0402CG2R2B300, MA0402CG2R2B150