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CPH5802-TL-E-S 发布时间 时间:2025/9/21 1:03:03 查看 阅读:5

CPH5802-TL-E-S是一款由Central Semiconductor Corp生产的双极结型晶体管(BJT)阵列器件。该器件集成了两个独立的NPN型晶体管,采用SOT-26封装形式,适用于高密度、小型化的表面贴装应用。CPH5802-TL-E-S设计用于在低电压和中等电流条件下工作,具备良好的增益稳定性和开关特性,广泛应用于便携式电子产品、消费类电子设备以及工业控制电路中。由于其紧凑的封装和高效的性能表现,该器件特别适合对空间要求严格的PCB布局设计。此外,CPH5802-TL-E-S符合RoHS环保标准,无铅且符合现代绿色制造的要求。该器件常用于信号放大、逻辑驱动、电源管理模块中的开关控制以及接口电路中的电平转换等功能场景。其结构优化使得热阻较低,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能,从而提升系统整体的可靠性与耐用性。

参数

类型:NPN NPN
  集电极-发射极电压 (Vceo):50V
  集电极-基极电压 (Vcb o):70V
  发射极-基极电压 (Vebo):5V
  集电极电流(连续):100mA
  功率耗散:300mW
  直流电流增益 (hFE):300 @ 2mA, 5V
  过渡频率 (fT):250MHz
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装/外壳:SOT-26
  安装类型:表面贴装
  通道数:2
  最小起订量:3000只
  包装形式:卷带(Tape and Reel)
  湿度敏感等级(MSL):1(无限)
  引脚数量:6
  极性:双NPN
  最大结温:150°C

特性

CPH5802-TL-E-S具有优异的高频响应能力,其典型过渡频率高达250MHz,使其在射频前端电路和高速开关应用中表现出色。每个集成的NPN晶体管均具备较高的直流电流增益(hFE),在2mA工作电流下可达到300以上的增益值,确保了微弱信号的有效放大,适用于前置放大器、音频信号处理及传感器信号调理等应用场景。
  该器件的两个晶体管之间具有良好的匹配性,这在差分放大器或推挽输出结构中尤为关键,能够有效减少失真并提高电路的线性度。同时,由于采用SOT-26小型化封装,整体尺寸仅为约3.0mm x 2.9mm x 1.1mm,极大节省了印刷电路板的空间,适用于智能手机、可穿戴设备、无线通信模块等对体积敏感的设计需求。
  CPH5802-TL-E-S还具备出色的热稳定性,内部结构经过优化以降低热阻,使芯片结温向环境散热更加高效。即使在持续负载条件下,也能维持稳定的电气参数,避免因温度升高而导致性能下降。此外,该器件支持宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在极端环境下可靠运行,满足工业级和汽车电子的部分使用条件。
  从制造工艺上看,CPH5802-TL-E-S采用了先进的晶圆加工技术和可靠的键合工艺,保证了产品的一致性和长期可靠性。其无铅封装符合RoHS和REACH环保指令,支持回流焊和波峰焊等多种贴装方式,并具备良好的抗湿气性能(MSL1),降低了生产过程中的失效风险。总体而言,这款双NPN晶体管阵列为高性能、小尺寸和高可靠性需求的应用提供了理想的解决方案。

应用

CPH5802-TL-E-S广泛应用于各类电子系统中,尤其是在需要小型化和高集成度的场合。常见用途包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和智能手表中的信号切换与放大功能;在这些设备中,它常被用于音频放大电路、麦克风前置放大器或LED驱动控制。
  在通信领域,该器件可用于无线收发模块中的小信号放大和缓冲级设计,凭借其250MHz的高截止频率,能够有效处理UHF频段以下的射频信号,适用于Wi-Fi、ZigBee、LoRa和NFC等短距离无线技术的前端电路。
  此外,在工业自动化控制系统中,CPH5802-TL-E-S可用于光电传感器、编码器或继电器驱动电路中的开关元件,实现低功耗、快速响应的数字信号控制。其双晶体管结构也适合构建互补输出或多级放大架构,提升系统的响应速度与驱动能力。
  在电源管理方面,它可以作为低压DC-DC转换器中的反馈控制开关或稳压电路中的调整管使用,配合外围电阻电容构成简单的线性稳压器或电压检测电路。同时,因其良好的温度稳定性,也被用于汽车电子中的车载传感器接口电路或车内照明调光控制。
  总之,无论是在消费类、工业类还是通信类电子设备中,CPH5802-TL-E-S都能以其高增益、小封装和高可靠性发挥重要作用,是现代电子设计中常用的通用型双极晶体管阵列器件之一。

替代型号

[
   "MMBT4401DW",
   "FMMT4401",
   "BC847B",
   "2N3904",
   "ZXTN4401E"
  ]

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