SFM-135-L1-S-D是一种表面贴装的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种需要高效能开关的电路中。该型号具有低导通电阻、高效率和出色的热性能,适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及负载开关等场景。
SFM-135-L1-S-D采用了先进的封装技术,优化了散热路径,从而提升了器件的整体性能和可靠性。此外,其小型化的封装设计非常适合空间受限的应用环境。
最大漏源电压:40V
最大连续漏极电流:30A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷(典型值):98nC
反向恢复时间:40ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 低导通电阻:有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高电流承载能力:支持高达30A的连续漏极电流,适合大功率应用。
3. 小型化封装:采用紧凑的表面贴装封装,节省PCB空间。
4. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和反向恢复时间,减少开关损耗。
5. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行,增强系统的可靠性和适应性。
6. 热性能优异:通过优化的封装设计,改善了器件的散热能力。
1. DC-DC转换器:
用于升压、降压或升降压转换器中的开关元件,提供高效的功率转换。
2. 电源管理系统:
在电池供电设备中作为主功率开关,实现负载切换和过流保护功能。
3. 负载开关:
为不同的负载提供精确的电流控制,同时减少功耗。
4. 汽车电子:
适用于汽车电子中的电机驱动和LED照明控制等场景。
5. 工业自动化:
用于工业控制设备中的功率分配和信号隔离。
SFM-135-L2-S-D
SFM-135-L1-N-D
IRF3205
FDP55N06L